Solarzellen und Computerchips brauchen einwandfreie Siliziumoberflächen. Durch Abkühlen wird Silizium in bestimmte Schichten gezwungen. Dabei spielen Mechanismen eine Rolle, die schon bei Phasengängen im frühen Universum wirkten. Ein Forschungsteam hat nun untersucht, wie sich die Abkühlrate auf die Struktur des Halbleitermaterials auswirkt.
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Originalpublikation: G. Schaller, F. Queisser, S. P. Katoorani, C. Brand, C. Kohlfürst, M. R. Freeman, A. Hucht, P. Kratzer, B. Sothmann, M. Horn-von Hoegen, R. Schützhold, Kibble-Zurek: Dynamics in the Anisotropic Ising Model of the Si(001) Surface, in Physical Review Letters, 134, 2025; DOI: 10.1103/rmc4-xqb3
